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#저항변화메모리

연소 공정을 이용한 ZrO2 막 광패터닝 프로세스 개념도와 제조된 ZrO2 저항 변화 메모리의 전기적 특성

UV를 이용하여 연소 합성으로 제조된 ZrO2 막을 패터닝 하는 과정을 보여줌, 제작된 메모리는 반복되는 스위칭 동작에도 메모리 특성 변화를 보이지 않으며 우수한 내구성과 고온의 환경에서도 뛰어난 데이터 저장 능력을 보여줌.

ⓒDGIST 제공2024.01.25
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